本报讯 在量子计算方面，需要极高纯度的单光子源。清华大学电子系宁存政教授团队将激光加工的可控性大规模制作能力和二维宽禁带半导体材料氮化硼的优异性质相结合，实现了空间可控地大规模制作高纯度、高亮度的单光子光源。
　　该实验团队通过单脉冲飞秒激光照射的方法，在氮化硼薄层上实现了单光子源的高效制作。每100个单脉冲飞秒激光照射位置中可以产生43个单光子源，所得单光子源的纯度及亮度都很高。
　　近日，相关成果以“六方氮化硼材料中利用激光大规模制备高亮度高纯度单光子源”为题，发表于《美国化学学会·纳米》（ACS Nano）期刊上。该文章的通讯作者为宁存政教授，清华大学电子工程系助理研究员甘霖和2020级博士研究生张聃旸为共同第一作者。该工作完成单位包括清华大学电子工程系和深圳技术大学集成电路与光电芯片学院。 （电子系）