本报讯 近日，清华大学物理系赵永刚教授研究组利用基于磁控溅射技术生长的典型斯格明子体系，探索出一种在受限结构中产生能在室温、零磁场下稳定的单个斯格明子包的方法，通过与北京理工大学教授黄厚兵团队合作，从能量角度解释了斯格明子包拓扑数对于圆盘尺寸的依赖性，并进一步探索了不同材料参数下斯格明子包的稳定情况。
　　研究成果以“多层磁碟中单个斯格明子包的室温生成和转换”为题，发表在《自然·通讯》（Nature Communications）期刊上。赵永刚和黄厚兵为该论文的通讯作者。清华大学物理系2019级博士生刘权、北京理工大学前沿交叉科学研究院2020级博士生董守哲、清华大学物理系2018级博士生王雨桐为共同第一作者。
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