本报讯 近日，深圳国际研究生院孙波副教授团队在半导体器件热管理研究领域取得新进展。团队通过模拟“金属-绝缘体-半导体”器件的实际工作条件，发现电子在以量子隧穿的方式穿过薄绝缘层时，可形成隧穿电流并有效传输热能，从而显著提升器件的界面热导。

该研究揭示了一种全新的多层结构器件中电子隧穿传热机理，改变了人们传统的散热认知，有助于解决现代电子设备面临的“热瓶颈”问题。该工作将宏观电子量子隧穿拓展至热科学领域，对未来高性能电子设备的设计、制造和热管理具有重要价值。

相关成果以“电子隧穿提高金属-绝缘体-半导体结界面热导为题发表于《物理评论快报》（Physical Review Letters）。孙波为该论文的通讯作者，深圳国际研究生院2025届博士毕业生刘一哲为第一作者。

（深圳国际研究生院）