本报讯 近期，清华大学物理系杨乐仙副教授课题组和合作者利用先进的亚微米空间及自旋分辨的角分辨光电子能谱，系统地研究了Bi₄Br₄的电子结构。研究人员首次在样品的（100）表面上观察到具有劈裂特征的表面态并直接观测到表面态能隙，揭示了此（100）表面态的自旋动量锁定特征。该研究使得Bi₄Br₄成为探索一维边界态电子特性及其潜在应用的理想材料平台。

　　此外，合作团队利用角分辨光电子能谱对弱拓扑绝缘体Bi₄Br₂I₂的电子结构进行了系统研究。Bi₄Br₂I₂由三种不同的量子自旋霍尔绝缘体交替堆叠形成，每层均具有拓扑非平凡的边缘态。利用这一独特电子结构，人们可以通过改变化学势来调控体系内可供导电的量子自旋霍尔通道。
　　近日，研究成果分别以“高阶拓扑绝缘体Bi₄Br₄的拓扑电子结构及自旋结构”和“通向弱拓扑绝缘体Bi₄Br₂I₂中可调控的量子自旋霍尔通道”为题，在线发表于《自然·通讯》（Nature Communications）期刊上。
　　（物理系）