本报讯 近日，清华大学材料学院马静副教授课题组与中国科学院物理所/中国科学院大学、美国德克萨斯大学圣安东尼奥分校研究团队合作，通过对分析菱方氧化铪双四面体晶体场键长畸变，发现菱方R3铁电相将取代菱方R3m与正交Pca21铁电相成为基态从而被稳定。该研究不仅为氧化铪体系的铁电性提供了新的见解，还有望为提升铁电器件性能开辟新的途径。
　　研究成果以“具有稳定铁电性的R3菱方相锰掺杂氧化铪锆外延薄膜”为题，发表在《先进材料》（Advanced Materials）期刊上。马静、美国德克萨斯大学圣安东尼奥分校教授陈充林、中国科学院物理所/中国科学院大学研究员杜世萱为该论文的共同通讯作者，清华大学材料学院2023级博士生郭嘉晟、中国科学院大学副研究员陶蕾为共同第一作者。
　　（材料学院）