本报讯 近日，化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。研究团队将高EUV吸收元素碲（Te）通过Te-O键直接引入高分子骨架中，显著提升了光刻胶的EUV吸收效率，实现了高灵敏度的正性显影。这一光刻胶仅由单组份小分子聚合而成，在极简的设计下实现了理想光刻胶特性的整合，为构建下一代EUV光刻胶提供了清晰而可行的路径。

研究成果以“聚碲氧烷作为EUV光刻胶的理想配方”为题，发表在《科学进展》（Science Advances）期刊上。许华平为该论文的通讯作者，清华大学集成电路学院客座教授马克·奈瑟、江南大学化学与材料工程学院副教授谭以正为共同通讯作者，清华大学化学系2024级博士生周睿豪为第一作者。

（化学系）